Ukończył studia na Wydz. Łączności Pol. Warszawskiej (obecnie Elektroniki i Technik Informacyjnych) w 1958r. będąc jeszcze studentem rozpoczął pracę w Instytucie Podstawowych Problemów Techniki PAN. Opracowana przez niego, w ramach pracy dyplomowej, germanowa dioda ostrzowa została wdrożona w Fabryce Diod Półprzewodnikowych TEWA w Warszawie. W 1966r. prof. Ambroziak przeszedł do nowo-powołanego Instytutu Technologii Elektronowej PAN, który w 1970r. został przeniesiony do Naukowo Produkcyjnego Centrum Półprzewodników CEMI.

Stopnie naukowe doktora (1963r. – IPPT PAN) i doktora habilitowanego (1970r. – Pol. Warszawska) prof. C. A. Ambroziak uzyskał :na podstawie prac dot. technologii przyrządów półprzewodnikowych. W 1973r. został profesorem nadzwyczajnym. W tym też roku został powołany na funkcję Dyrektora ITE CEMI, którą w latach późniejszych łączył z funkcją Z-cy Dyrektora NPCP CEMI ds. Naukowych. W roku akademickim 1976/68 prof. Ambroziak odbył staż naukowy w sercu Doliny Krzemowej, na Wydz. Elektrycznym Uniwersytetu Stanforda.

W latach 1988-90 prof. Ambroziak, będąc zatrudniony przez MSZ na stanowisku Radcy ds. Naukowych w Ambasadzie Polskiej w Waszyngtonie, przyczynił się do wznowienia działalności Funduszu Marii Skłodowskiej-Curie i zorganizowanie współpracy szeregu ośrodków badawczych w Polsce i USA. Po powrocie do Polski podjął pracę w ITE jako profesor na stanowisku kierownika Zakładu Projektowania Układów Scalonych. W 1991r. został wybrany na funkcję Z-cy Przewodniczącego KBN pierwszej kadencji, którą pełnił do 1994r. Z udziałem prof. Ambroziaka był tworzony system grantów badawczych i celowych. Równolegle z wymienioną funkcją pełnił funkcję Przewodniczącego Komisji Współpracy z Zagranicą KBN. W 1994 r prof. Ambroziak powrócił na stanowisko dyrektora ITE, które obejmuje do dzisiaj.

Prace prof. Ambroziaka z lat 60. XX w., dot. układów scalonych (m.in. wielo-złączowy przyrząd zliczający impulsy w systemie dziesiętnym) były pierwszymi w Polsce i jednymi z pierwszych na świecie. W 1968r. prace te, obok jeszcze prac dwóch Europejczyków, były uznane, w specjalnym wydawnictwie McGraw Hill w Nowym Yorku, w wydanym z okazji 20-lecia wynalezienia tranzystora, jako ważny wkład w światowy rozwój półprzewodników. Za swoje prace uzyskał dwukrotnie Zespołową Nagrodę Naukową – w 1964 za półprzewodnikowy licznik impulsów i w 1984r. – za opracowanie i wdrożenie układów scalonych wielkiej skali integracji MOS/LSI. Obok licznych ważnych publikacji w czasopismach, prof. Ambroziak jest autorem 3 pozycji naukowo-technicznych, z których jedna została przetłumaczona i wydana za granicą po angielsku i rosyjsku.

Źródło: ptts.pl